-
ترانزیستور GAAFET با ورقه نانویی (Nanosheet GAAFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور GAAFET با سیم نانویی (Nanowire GAAFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور با اثر میدانی با گیت احاطه کننده (Gate-All-Around FET - GAAFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی با ورقه های نانویی (Nanosheet FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی عمودی (Vertical Nanowire FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی افقی (Horizontal Nanowire FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور FinFET با گیت های مستقل (Independent-Gate FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور FinFET با گیت دوقلو (Double-Gate FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور FinFET با گیت سه بعدی (3D Gate FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی با گیت انباری (Fin Field-Effect Transistor - FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)