ترانزیستور FinFET با گیت های مستقل (Independent-Gate FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور FinFET با گیت های مستقل (Independent-Gate FinFET) :
Independent-Gate FinFET (IG-FinFET) همان Double-Gate FinFET با گیت های جداگانه و مستقل است. این ساختار امکان پیاده سازی توابع جدید و کاهش تعداد ترانزیستورها در برخی مدارها را فراهم می کند. مثلا می توان از یک IG-FinFET به عنوان یک گیت NAND دو ورودی استفاده کرد (بدون نیاز به دو ترانزیستور سری).
در IG-FinFET، هر گیت می تواند به طور مجزا کانال را کنترل کند. اگر هر دو گیت روشن باشند (ولتاژ بالاتر از آستانه)، کانال به طور کامل تشکیل شده و جریان زیاد است. اگر یکی از گیت ها خاموش باشد، کانال زیر آن گیت به طور موضعی باریک شده و جریان کاهش می یابد. با طراحی مناسب می توان به توابع منطقی فشرده دست یافت.
\[ I_D \approx \frac{W}{L} \mu C_{ox} \left( (V_{G1} - V_{TH})V_{DS} - \frac{1}{2}V_{DS}^2 \right) \quad \text{(با فرض گیت دوم روشن)} \]مزایای IG-FinFET: کاهش تعداد ترانزیستورها، کاهش توان مصرفی، افزایش چگالی. معایب: پیچیدگی ساخت (ایجاد دو گیت جدا با تماس های مجزا)، و تداخل بین گیت ها. تحقیقات برای استفاده از IG-FinFET در طراحی های کم مصرف و FPGA ادامه دارد.
در محصولات تجاری، IG-FinFET هنوز به طور گسترده استفاده نمی شود.
