ترانزیستور GAAFET با سیم نانویی (Nanowire GAAFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور GAAFET با سیم نانویی (Nanowire GAAFET) :
Nanowire GAAFET یک GAAFET است که در آن کانال ها به صورت نانوسیم های استوانه ای (با مقطع دایره ای) ساخته شده اند. این ساختار یکی از اولین پیاده سازی های GAAFET بود و تحقیقات گسترده ای روی آن انجام شده است.
در Nanowire GAAFET، چند نانوسیم سیلیکونی (یا مواد دیگر) به صورت افقی و موازی روی هم قرار می گیرند. گیت دورتادور هر نانوسیم را با یک لایه اکسید نازک و سپس فلز گیت می پوشاند. نانوسیم ها معمولا با استفاده از فرآیندهای اچینگ و اکسیداسیون ساخته می شوند.
\[ W_{eff} = N \cdot 2\pi R \quad \text{با N تعداد نانوسیم ها} \]مزایای Nanowire GAAFET: کنترل عالی کانال، کاهش اثرات کانال کوتاه، امکان استفاده از مواد با تحرک بالا (مانند III-V) در کانال. معایب: جریان محدود (چون سطح مقطع نانوسیم کوچک است) و نیاز به تعداد زیادی نانوسیم برای رسیدن به جریان مورد نیاز.
Nanowire GAAFETها بیشتر در تحقیقات دیده شده اند، اما در محصولات تجاری، نسخه Nanosheet GAAFET (با سطح مقطع مستطیلی) به دلیل جریان بالاتر ترجیح داده می شود.
