ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی افقی (Horizontal Nanowire FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی افقی (Horizontal Nanowire FET) :
Horizontal Nanowire FET نوعی ترانزیستور با کانال نانوسیم است که نانوسیم ها به صورت افقی (موازی با سطح زیرلایه) قرار گرفته اند و گیت دورتادور آنها را احاطه کرده است (Gate-All-Around). این ساختار به عنوان جانشین FinFET در گره های زیر ۵ نانومتر مطرح است.
در این ترانزیستور، چند نانوسیم (معمولا از جنس سیلیکون یا SiGe) به صورت پشته ای (Stacked) روی هم قرار می گیرند و گیت دور هر کدام را به طور کامل می پوشاند. این طراحی بهترین کنترل الکترواستاتیکی را فراهم می کند و اجازه می دهد طول کانال به حداقل ممکن (چند نانومتر) کاهش یابد بدون اینکه اثرات کانال کوتاه مشکل ساز شود.
\[ W_{eff} = N \cdot 2\pi R \quad \text{(N تعداد نانوسیم ها، R شعاع)} \]مزایا: شیب زیرآستانه نزدیک به حد تئوری (۶۰ mV/dec)، DIBL بسیار کم، قابلیل افزایش جریان با افزودن نانوسیم های بیشتر. چالش ها: ساخت نانوسیم های یکنواخت با قطر چند نانومتر، ایجاد تماس های کم مقاومت، و مدیریت حرارت.
شرکت هایی مانند IBM، Intel، TSMC و Samsung در حال توسعه Horizontal Nanowire FET (و همچنین نسخه ورقه ای آن یعنی Nanosheet FET) برای گره های ۳ نانومتر و ۲ نانومتر هستند.
