ترانزیستور FinFET با گیت سه بعدی (3D Gate FinFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور FinFET با گیت سه بعدی (3D Gate FinFET) :
3D Gate FinFET در واقع همان FinFET استاندارد است که در آن گیت به صورت سه بعدی دورتادور کانال (فین) را احاطه کرده است. این اصطلاح گاهی برای تأکید بر ماهیت سه بعدی گیت و تفاوت آن با MOSFET مسطح به کار می رود. در ادبیات فنی، معمولا همان FinFET نامیده می شود.
در FinFET، گیت روی سه طرف فین قرار می گیرد: دو طرف جانبی و یک طرف بالا. این پیکربندی "Tri-gate" نام دارد. برخی طرح های FinFET گیت را روی چهار طرف هم قرار می دهند (مثلا با اکسید زیر فین) که به آن "Gate-All-Around" می گویند و در نسل های بعدی استفاده خواهد شد.
\[ \text{کنترل کانال: Tri-gate} \approx \text{بهتر از Planar، کمی کمتر از GAA} \]3D Gate FinFET باعث بهبود قابل توجه در عملکرد الکتریکی شد و امکان کاهش ولتاژ تغذیه و افزایش سرعت را همزمان فراهم کرد. تمامی تراشه های ۱۴ نانومتر، ۱۰ نانومتر، ۷ نانومتر و ۵ نانومتر مبتنی بر FinFET هستند (با ظرافت های مختلف).
اینتل فناوری Tri-gate را در سال ۲۰۱۱ معرفی کرد و سایر سازندگان (TSMC, Samsung) نیز از FinFET در گره های ۱۶/۱۴ نانومتر به بعد استفاده کردند.
