ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی عمودی (Vertical Nanowire FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با سیم های نانویی عمودی (Vertical Nanowire FET) :
Vertical Nanowire FET (VNWFET) یک ترانزیستور با کانال نانوسیم عمودی است که نانوسیم به صورت عمود بر سطح زیرلایه رشد می کند و گیت دورتادور آن قرار می گیرد. در این ساختار، سورس و درین در بالا و پایین نانوسیم قرار دارند (برخلاف حالت افقی که هر دو در سطح هستند).
مزیت اصلی Vertical Nanowire FET، کاهش سطح اشغالی (Footprint) بسیار زیاد است، زیرا ترانزیستورها می توانند روی هم چیده شوند (3D Integration) و تراکم بی سابقه ای ایجاد کنند. همچنین طول کانال توسط ارتفاع نانوسیم تعیین می شود که می تواند بسیار کوتاه باشد.
\[ \text{مساحت اشغالی} \approx \pi R^2 \quad \text{برای هر نانوسیم} \]Vertical Nanowire FETها برای حافظه ها (DRAM, Flash) و مدارهای منطقی با تراکم فوق العاده بالا (فراتر از قانون مور) بسیار جذاب هستند. چالش ها: رشد نانوسیم های با کیفیت بالا (مثلا با روش VLS)، ایجاد تماس به پایین و بالای نانوسیم، و یکنواختی در آرایه های بزرگ.
تحقیقات بر روی VNWFET با مواد مختلف (Si, Ge, III-V) ادامه دارد و نمونه های آزمایشی ساخته شده اند.
