ترانزیستور اثر میدانی با ورقه های نانویی (Nanosheet FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با ورقه های نانویی (Nanosheet FET) :
Nanosheet FET (یا GAAFET با کانال ورقه ای) یک ترانزیستور اثر میدانی با کانال های نازک و پهن (ورقه ای) است که به صورت افقی روی هم قرار گرفته اند و گیت دورتادور هر ورقه را می پوشاند. این ساختار تکامل یافته Horizontal Nanowire FET است که در آن به جای نانوسیم های استوانه ای، از ورقه های مستطیلی (با نسبت عرض به ارتفاع زیاد) استفاده می شود.
Nanosheet FET جریان بیشتری نسبت به نانوسیم استوانه ای می تواند عبور دهد، زیرا عرض کانال (
\[ W \]) بیشتر است. همچنین کنترل ابعاد ورقه (ضخامت و عرض) امکان تنظیم بهتر ولتاژ آستانه و عملکرد را فراهم می کند. این ساختار توسط شرکت هایی مانند Samsung و TSMC برای گره های ۳ نانومتر و ۲ نانومتر انتخاب شده است.
\[ I_D \propto W_{sheet} \times N \quad \text{(N تعداد ورقه ها)} \]مزایا: سازگاری با فرآیند FinFET موجود (با تغییراتی)، جریان بالا، کنترل عالی کانال. چالش ها: ساخت ورقه های نازک با ضخامت یکنواخت (چند نانومتر)، و ایجاد فاصله دقیق بین ورقه ها.
Samsung اولین شرکتی بود که در سال ۲۰۲۲ از فناوری GAA با نانوشیت برای گره ۳ نانومتر رونمایی کرد (MBCFET).
