-
ترانزیستور اثر میدانی با گیت شناور (Floating-Gate MOSFET - FGMOS)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی تک الکترونی (Single-Electron FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (Carbon Nanotube FET - CNTFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی تونلی (Tunnel FET - TFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی آلی (Organic FET - OFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور اثر میدانی ناهمساخت (Heterostructure FET - HFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا شبه مورفیک (PHEMT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا بر پایه آرسنید گالیم (GaAs HEMT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا بر پایه گالیم نیترید (GaN HEMT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) -
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا (High-Electron-Mobility Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)