ترانزیستور با تحرک الکترون بالا شبه مورفیک (PHEMT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا شبه مورفیک (PHEMT) :
PHEMT (Pseudomorphic HEMT) یک نسخه پیشرفته از HEMT است که در آن لایه کانال از ماده ای با گاف انرژی کوچکتر و ثابت شبکه متفاوت از لایه سد ساخته می شود، اما به قدری نازک است که به صورت شبه مورفیک (با تطابق الاستیک) رشد می کند. رایج ترین ترکیب: سد AlGaAs و کانال InGaAs (که با GaAs تطابق شبکه کامل ندارد اما با ضخامت کم، بدون نقص رشد می کند).
استفاده از InGaAs در کانال، تحرک الکترون و سرعت اشباع را افزایش می دهد و باعث بهبود چشمگیر در فرکانس و نویز می شود. PHEMTها در فرکانس های تا ۱۰۰ گیگاهرتز عملکرد عالی دارند و نویز بسیار پایینی ارائه می دهند (رقمی در حدود ۰.۵ دسی بل در ۲۰ گیگاهرتز).
\[ f_T \ \text{PHEMT} > 300\,\text{GHz} \quad , \quad NF_{min} \approx 0.3\text{–}0.5\,\text{dB} \]کاربردهای PHEMT: پیش تقویت کننده های با نویز پایین در مخابرات ماهواره ای (مثل LNB)، گیرنده های راداری، سیستم های مخابراتی نقطه به نقطه، و تجهیزات اندازه گیری فرکانس بالا. همچنین در ساخت مدارهای مجتمع مونولیتیک مایکروویو (MMIC) استفاده می شود.
PHEMTها معمولا با فناوری گیت فلزی با طول گیت زیر میکرون (مثلا ۰.۱ تا ۰.۲۵ میکرومتر) ساخته می شوند. آنها در هر دو نوع حالت کاهشی (معمول) و افزایشی وجود دارند. با این حال، ساخت آنها پیچیده و گران است.
