ترانزیستور اثر میدانی ناهمساخت (Heterostructure FET - HFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی ناهمساخت (Heterostructure FET - HFET) :
HFET (Heterostructure FET) اصطلاحی عمومی برای ترانزیستورهای اثر میدانی است که از پیوند ناهمسان (Heterojunction) برای بهبود عملکرد استفاده می کنند. HEMT و PHEMT زیرمجموعه های HFET محسوب می شوند. در HFET، حداقل یکی از لایه های نیمه هادی در ناحیه کانال یا سد از ماده ای با گاف انرژی متفاوت تشکیل شده است.
هدف اصلی HFET، ایجاد محصور شدگی کانال و افزایش تحرک حامل ها (از طریق جداسازی از ناخالصی ها) یا افزایش غلظت حامل (از طریق شکست نوار) است. این طراحی منجر به ترانسکانداکتانس بالا و فرکانس کاری بالا می شود. علاوه بر ترکیبات III-V (مانند GaAs, InP)، HFETها می توانند بر پایه SiGe (با پیوند ناهمسان Si/SiGe) نیز ساخته شوند.
\[ \Delta E_c = \chi_1 - \chi_2 \quad \text{(اختلاف میل الکترونی)} \]کاربردهای HFET مشابه HEMT است: فرکانس های بالا، توان بالا، نویز پایین. HFETهای SiGe با فناوری CMOS سازگار هستند و در آیسی های RF برای مخابرات بی سیم کاربرد دارند. در مقایسه با MOSFETهای معمولی، HFETها عملکرد فرکانس بالای بهتری دارند اما هزینه بیشتری دارند.
اصطلاح HFET گاهی به جای HEMT به کار می رود، اما دقت کنید که همه HFETها لزوما دارای لایه جداسازی (Spacer) و 2DEG نیستند؛ برخی ممکن است کانال ناخالصی دار داشته باشند اما به دلیل ناهمسانی، محدودیت کوانتومی بهبود یابد.
