ترانزیستور اثر میدانی آلی (Organic FET - OFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی آلی (Organic FET - OFET) :
OFET (ترانزیستور اثر میدانی آلی) نوعی ترانزیستور است که در آن لایه فعال نیمه هادی از مواد آلی (پلیمرها یا مولکول های کوچک آلی) ساخته می شود. این ترانزیستورها به دلیل هزینه پایین، قابلیت ساخت بر روی زیرلایه های انعطاف پذیر (پلاستیک، کاغذ) و فرآیندهای چاپی، توجه زیادی را جلب کرده اند.
ساختار OFET معمولا شامل یک زیرلایه، گیت (از فلز یا رسانای شفاف)، لایه عایق گیت (معمولا پلیمرهایی مانند PMMA یا PVP)، لایه نیمه هادی آلی (مانند پنتاسن، P3HT) و الکترودهای سورس و درین (طلای، نقره یا رساناهای چاپی) است. عملکرد مشابه MOSFET است: با اعمال ولتاژ به گیت، حامل ها (الکترون یا حفره) در لایه آلی تجمع یافته و جریان بین سورس و درین برقرار می شود.
\[ \mu_{organic} \approx 0.1\text{–}10\,\text{cm}^2/\text{V·s} \quad \text{(بهترین مواد)} \]تحرک حامل در مواد آلی معمولا بسیار کمتر از سیلیکون است (کمتر از ۱۰
\[ cm^2/V\cdot s \]در بهترین حالت). این محدودیت، کاربرد OFET را به مدارهای ساده، برچسب های RFID، نمایشگرهای انعطاف پذیر (پیکسل های OLED)، حسگرها و پوست الکترونیکی محدود می کند.
مزایای OFET: فرآیند ساخت ساده و ارزان (چاپ جوهرافشان، اسپین کوتینگ)، امکان ساخت بر روی سطوح بزرگ و انعطاف پذیر، زیست سازگاری بالقوه. چالش ها: پایداری در برابر هوا و رطوبت، ولتاژ کاری بالا (به دلیل عایق های ضخیم تر)، و عمر محدود.
