ترانزیستور اثر میدانی نقطه ای (Point-Contact Transistor) (اولین نوع ساخته شده)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی نقطه ای (Point-Contact Transistor) (اولین نوع ساخته شده) :
ترانزیستور نقطه ای (Point-Contact Transistor) اولین ترانزیستور ساخته شده توسط بشر است که در دسامبر ۱۹۴۷ توسط جان باردین و والتر براتین در آزمایشگاه های بل (Bell Labs) اختراع شد. این اختراع که جایزه نوبل فیزیک را برای آنها و ویلیام شاکلی به ارمغان آورد، نقطه عطفی در تاریخ الکترونیک و آغاز عصر نیمه هادی ها بود.
ساختار این ترانزیستور بسیار ساده و ابتدایی بود: یک بلور ژرمانیوم (نوع P) با دو تماس نقطه ای (سیم های فلزی نوک تیز) که در فاصله بسیار نزدیک (حدود ۵۰ میکرومتر) از هم روی سطح بلور قرار داده شده بودند. یک تماس به عنوان امیتر و دیگری به عنوان کلکتور عمل می کردند. بلور ژرمانیوم به عنوان بیس (Base) عمل می کرد. با اعمال جریان کوچک به امیتر (تماس نقطه ای اول)، جریان بزرگتری بین دو تماس (امیتر و کلکتور) جاری می شد و بدین ترتیب اثر تقویت کنندگی مشاهده گردید.
مکانیزم عملکرد این ترانزیستور کاملا با ترانزیستورهای امروزی متفاوت است و مبتنی بر تزریق حامل های اقلیت (حفره ها) از امیتر به بلور و جمع آوری آنها توسط کلکتور بود. اما این وسیله بسیار ناپایدار، نویزی و دشوار برای ساخت بود. با این حال، اهمیت تاریخی آن غیرقابل انکار است.
\[ \text{بهره جریان} \ \beta \approx 2\text{–}100 \quad \text{(اما بسیار وابسته به موقعیت تماس ها)} \]ترانزیستور نقطه ای به سرعت توسط ترانزیستور پیوندی (BJT) که توسط شاکلی اختراع شد، جایگزین گردید. اما کشف آن نشان داد که می توان از مواد نیمه هادی برای ساخت قطعات تقویت کننده استفاده کرد. امروزه دیگر ترانزیستور نقطه ای ساخته نمی شود و فقط در موزه ها یافت می شود.
