ترانزیستور منتشرکننده نور (Light-Emitting Transistor - LET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور منتشرکننده نور (Light-Emitting Transistor - LET) :
ترانزیستور منتشرکننده نور (LET) یک ترانزیستور (معمولا HBT) است که قادر به نشر نور (از نزدیک فروسرخ تا نور مرئی) در حین عملکرد عادی ترانزیستوری خود می باشد. این قطعه توسط گروه پروفسور فنگ (Feng) در دانشگاه ایلینوی در سال ۲۰۰۴ ساخته شد و نقطه عطفی در زمینه اپتوالکترونیک محسوب می شود.
LET ساختاری مشابه یک HBT با چاه های کوانتومی در ناحیه بیس دارد. در این ترانزیستور، الکترون ها و حفره ها در بیس بازترکیب شده و نور تولید می کنند (مشابه LED). اما برخلاف LED، در LET نور از ناحیه بیس گسیل می شود و می تواند با تغییر جریان بیس مدوله شود. همچنین LET می تواند همزمان به عنوان تقویت کننده الکتریکی عمل کند. با اضافه کردن یک کاواک (تشکیل دهنده لیزر)، این قطعه به ترانزیستور لیزری (Laser Transistor) تبدیل می شود.
\[ P_{opt} \propto I_B \cdot \eta_{int} \quad , \quad \eta_{ext} \approx 1\text{–}2\% \]مزایای LET: امکان یکپارچگی نوری و الکترونیکی در یک قطعه، مدولاسیون مستقیم نور با سرعت بالا (تا چند ده گیگاهرتز)، و پتانسیل برای ارتباطات نوری روی تراشه. معایب: بازده کوانتومی پایین (نسبت به LEDهای معمولی)، و پیچیدگی ساخت.
LETها هنوز در مرحله تحقیقاتی هستند و به تولید انبوه نرسیده اند، اما پتانسیل بالایی برای نسل آینده مدارهای مجتمع نوری-الکترونیکی دارند.
