ترانزیستور دوپایه (Diode-Connected Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور دوپایه (Diode-Connected Transistor) :
ترانزیستور دوپایه (Diode-Connected Transistor) به ترانزیستوری (معمولا BJT یا MOSFET) گفته می شود که دو پایه آن (کلکتور و بیس در BJT، یا درین و گیت در MOSFET) به هم اتصال کوتاه شده اند. در این حالت، ترانزیستور مانند یک دیود دوپایه عمل می کند، با این تفاوت که ویژگی های الکتریکی آن توسط فیزیک ترانزیستور تعیین می شود.
در BJT با اتصال کوتاه کلکتور-بیس، ترانزیستور در ناحیه فعال مستقیم با ولتاژ کلکتور-امیتر برابر با
\[ V_{BE} \]کار می کند. رابطه جریان-ولتاژ آن مشابه دیود است:
\[ I_C = I_S e^{V_{BE}/V_T} \]. اما از آنجایی که مساحت پیوند بیس-امیتر و بیس-کلکتور می تواند متفاوت باشد (در ترانزیستورهای مجزا)، رفتار دیودی ممکن است کمی با دیود معمولی تفاوت داشته باشد. همچنین در MOSFET با اتصال کوتاه درین-گیت، ترانزیستور در ناحیه اشباع کار می کند و رابطه
\[ I_D \propto (V_{GS} - V_{TH})^2 \]برقرار است، بنابراین یک دیود با مشخصه مربعی (نه نمایی) خواهیم داشت.
\[ I_C = I_S e^{V_{BE}/V_T} \quad (\text{BJT}) \quad , \quad I_D = \frac{1}{2}\mu_n C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2 \ (\text{MOSFET}) \]کاربردهای ترانزیستور دوپایه: (۱) به عنوان دیود در مدارهای مجتمع (زیرا ساخت ترانزیستور آسان تر از دیود است). (۲) در آینه های جریان (به عنوان المان مرجع). (۳) در مدارهای محدودکننده ولتاژ و سطح شیفتر. (۴) به عنوان عنصر بار فعال در تقویت کننده ها (بار دیودی).
در طراحی آیسی های آنالوگ، ترانزیستورهای دوپایه بسیار رایج هستند.
