ترانزیستور با مقاومت بایاس داخلی (Bias Resistor Transistor - BRT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با مقاومت بایاس داخلی (Bias Resistor Transistor - BRT) :
ترانزیستور با مقاومت بایاس داخلی (BRT) دقیقا همان ترانزیستور دیجیتال است که در شماره قبل توضیح داده شد. این اصطلاح بیشتر در دیتاشیت ها و کاتالوگ های سازندگان (مانند Rohm، Infineon، NXP) برای اشاره به ترانزیستورهایی با مقاومت های داخلی بیس استفاده می شود.
هدف اصلی BRT یکپارچه سازی مقاومت های بایاس مورد نیاز برای راه اندازی ترانزیستور در حالت کلیدزنی است. در یک مدار ساده، برای روشن کردن یک BJT از پایه خروجی میکروکنترلر (مثلا ۵ ولت)، نیاز به یک مقاومت محدودکننده جریان بیس داریم. BRT این مقاومت را داخل خود دارد. همچنین مقاومت بیس-امیتر (R2) باعث می شود که در ولتاژ پایین ورودی، ترانزیستور مطمئنا خاموش بماند.
\[ \text{مقادیر متداول R1: } 1\,\text{k}\Omega \text{ تا } 100\,\text{k}\Omega \quad , \quad R2: 10\,\text{k}\Omega \text{ تا } 100\,\text{k}\Omega \]کاربردهای BRT: درایورهای نمایشگر (LED، LCD)، درگاه های ورودی/خروجی، مدارهای حفاظتی، و به عنوان سوئیچ در دستگاه های کم مصرف. مزایا: کاهش تعداد قطعات، کاهش هزینه مونتاژ، افزایش قابلیت اطمینان.
نکته مهم: هنگام انتخاب BRT باید به مقدار مقاومت ها و حداکثر جریان کلکتور توجه کرد. همچنین نوع (NPN یا PNP) باید با مدار تطبیق داده شود. سری معروف: سری BCR (NPN) و BCR (PNP) از Infineon.
