ترانزیستور با Vce(sat) پایین (Low VCE(sat) Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با Vce(sat) پایین (Low VCE(sat) Transistor) :
ترانزیستور با V_CE(sat) پایین (Low VCE(sat) Transistor) همان ترانزیستور با ولتاژ اشباع پایین است که در شماره قبل توضیح داده شد. این اصطلاح به طور خاص بر پارامتر V_CE(sat) تأکید دارد که در دیتاشیت ترانزیستورهای دوقطبی (BJT) قید می شود.
V_CE(sat) ولتاژ بین کلکتور و امیتر وقتی ترانزیستور در ناحیه اشباع (روشن کامل) و با جریان کلکتور مشخص (مثلا I_C=1A) و جریان بیس معین (مثلا I_B=0.1A) است، اندازه گیری می شود. مقدار کم آن به معنای تلفات کمتر در حالت روشن است. این پارامتر به ویژه در ترانزیستورهای قدرت و سوئیچینگ اهمیت دارد.
سازندگان ترانزیستور با بهینه سازی ساختار (ناخالصی کلکتور، ضخامت لایه ها، و هندسه) موفق به کاهش V_CE(sat) شده اند. برای مثال، ترانزیستورهای سری "Low VCEsat" مانند BC807-40L دارای V_CE(sat) حدود ۰.۳ ولت در I_C=1A هستند. در مقابل، ترانزیستورهای معمولی ممکن است ۰.۵-۰.۷ ولت داشته باشند.
\[ V_{CE(sat)} < 0.3\,\text{V} \ \text{در I_C=1A} \]کاهش V_CE(sat) باعث کاهش تلفات توان (
\[ P = I_C \times V_{CE(sat)} \]) و افزایش بازده می شود. همچنین دمای کاری کاهش می یابد. این ترانزیستورها در منابع تغذیه، درایورهای LED، و مدارهای سوئیچینگ با جریان بالا محبوب هستند.
نکته: در برخی دیتاشیت ها، اصطلاح "Low Saturation" یا "Low VCEsat" مستقیما به کار رفته است. انتخاب ترانزیستور با V_CE(sat) پایین مستلزم بررسی دیتاشیت در جریان کاری مورد نظر است.
