ترانزیستور کم نویز (Low-Noise Transistor - LNT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور کم نویز (Low-Noise Transistor - LNT) :
ترانزیستور کم نویز (Low-Noise Transistor) نوعی ترانزیستور است که برای کاربردهایی که نسبت سیگنال به نویز (SNR) حیاتی است، بهینه شده است. این ترانزیستورها در طبقات اول گیرنده های مخابراتی (LNA)، تقویت کننده های میکروفون، تجهیزات پزشکی (MRI، EEG)، و تلسکوپ های رادیویی استفاده می شوند.
منابع نویز در ترانزیستورها: نویز حرارتی (از مقاومت ها)، نویز شات (از جریان)، نویز فلیکر (1/f) (از تله های سطحی و نقص ها). در ترانزیستورهای کم نویز، این منابع به حداقل می رسند. برای کاهش نویز: (۱) مقاومت بیس (
\[ r_{bb'} \]) در BJTها باید کم باشد. (۲) ناخالصی امیتر بالا و بیس بهینه باشد. (۳) در FETها، طول کانال کوتاه و عرض زیاد باشد تا ترانسکانداکتانس بالا رود. (۴) مواد با نقص کم (مانند GaAs برای HEMT) استفاده شود.
\[ NF_{min} < 1\,\text{dB} \ (\text{در فرکانس بالا}) \quad , \quad r_{bb'} \approx 2\text{–}10\,\Omega \]انواع ترانزیستورهای کم نویز: (۱) BJTهای کم نویز سیلیکونی (مانند BC549، 2N5210) برای فرکانس های صوتی و پایین. (۲) JFETها (مانند 2N3819، BF862) برای امپدانس بالا و نویز پایین در فرکانس های پایین. (۳) HEMTهای GaAs و InP برای فرکانس های مایکروویو با نویز بسیار کم. (۴) SiGe HBT برای مجتمع سازی با CMOS و نویز پایین در فرکانس های متوسط.
انتخاب ترانزیستور کم نویز به فرکانس کاری، امپدانس منبع، و جریان بایاس بستگی دارد. معمولا با رسم شکل نویز (Noise Figure Contours) در فرکانس مورد نظر، بهترین نقطه کار تعیین می شود.
