ترانزیستور قدرت RF (انگلیسی : RF Power Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور قدرت RF (انگلیسی : RF Power Transistor) :
ترانزیستور قدرت RF (RF Power Transistor) نوعی ترانزیستور است که برای تقویت سیگنال های فرکانس رادیویی (RF) با توان خروجی بالا (معمولا بیش از ۱ وات) طراحی شده است. این ترانزیستورها در فرستنده های رادیویی، تلویزیونی، ایستگاه های پایه مخابراتی (BTS)، رادارها، و سیستم های ارتباطی ماهواره ای استفاده می شوند.
ویژگی های مهم یک ترانزیستور قدرت RF عبارتند از: توان خروجی بالا (
\[ P_{out} \])، بهره توان (
\[ G_p \])، بازده (Efficiency)، و پایداری در فرکانس کاری. همچنین باید بتواند توان تلفاتی (حرارت) را تحمل کند. ترانزیستورهای قدرت RF معمولا در بسته های خاص (مانند بسته های سرامیکی با صفحه های فلزی برای اتلاف حرارت) عرضه می شوند.
انواع ترانزیستورهای قدرت RF: (۱) LDMOS (Laterally Diffused MOS): سال ها فناوری غالب در فرکانس های تا ۴ گیگاهرتز، با بازده خوب و هزینه مناسب. (۲) GaN HEMT: نسل جدید با توان و بازده بالاتر، مناسب برای فرکانس های بالا (تا چند ده گیگاهرتز). (۳) GaAs HBT و pHEMT: برای فرکانس های بالا و توان متوسط (کاربردهای مخابراتی و فضایی). (۴) SiC MESFET: برای توان بالا در فرکانس های متوسط.
\[ P_{out} > 1\,\text{W} \ (\text{تا چند صد W}) \quad , \quad f > 1\,\text{GHz} \ (\text{تا چند ۱۰ GHz}) \]مهم ترین پارامترها در طراحی با ترانزیستورهای قدرت RF، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی (برای انتقال حداکثر توان) و مدیریت حرارت (برای جلوگیری از تخریب) است. ترانزیستورهای قدرت RF مدرن (به ویژه GaN) امکان طراحی تقویت کننده های فشرده با توان بالا و پهنای باند وسیع را فراهم کرده اند.
