ترانزیستور با نفوذ بهمنی (Avalanche-Injection Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با نفوذ بهمنی (Avalanche-Injection Transistor) :
ترانزیستور با نفوذ بهمنی (Avalanche-Injection Transistor) نوعی ترانزیستور است که در آن از هر دو پدیده بهمن و تزریق حامل ها برای تقویت جریان استفاده می شود. این قطعه می تواند به عنوان یک کلید با قابلیت حمل جریان بالا و زمان روشن/خاموش بسیار کوتاه عمل کند. گاهی به آن "ترانزیستور اتصال بهمنی" (Avalanche-Junction Transistor) نیز می گویند.
ساختار آن مشابه یک ترانزیستور دوقطبی با پیوند کلکتور بهمنی است. هنگامی که ولتاژ کلکتور-امیتر به اندازه کافی بالا باشد (نزدیک ولتاژ شکست)، ضربه یونش در پیوند کلکتور رخ می دهد و جفت الکترون-حفره تولید می کند. الکترون ها به سمت کلکتور می روند و حفره ها به سمت بیس تزریق می شوند. این حفره ها مانند یک جریان بیس اضافی عمل کرده و باعث افزایش بیشتر جریان کلکتور می شوند. این بازخورد مثبت می تواند منجر به کلیدزنی بهمنی (Avalanche Switching) شود.
\[ I_C = M \cdot I_{C0} \quad \text{(M ضریب بهمن)} \]کاربردها مشابه Avalanche Transistor است: تولید پالس های با توان بالا و زمان خیز کم. این ترانزیستورها معمولا در مدارهای با ولتاژ بالا و جریان پالسی زیاد (مانند درایورهای لیزر پالسی، ژنراتورهای مارکس، و تسترهای عایق) استفاده می شوند.
