ترانزیستور با گیت بهمنی (Avalanche-Gate Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت بهمنی (Avalanche-Gate Transistor) :
ترانزیستور با گیت بهمنی (Avalanche-Gate Transistor) یک ترانزیستور اثر میدانی (FET) است که از پدیده بهمن در ناحیه گیت برای ایجاد کلیدزنی بسیار سریع یا تولید پالس های با دامنه بالا استفاده می کند. این قطعه کمتر رایج است و معمولا در کاربردهای خاص (مانند تولید پالس های فوق سریع) به کار می رود.
ساختار: یک FET (معمولا MESFET یا MOSFET) با کانال کوتاه و ولتاژ شکست نسبتا بالا. گیت به گونه ای طراحی می شود که با اعمال ولتاژ معکوس به گیت، پیوند گیت-کانال در ناحیه بهمن قرار گیرد. ضربه یونش در ناحیه گیت می تواند حامل های اضافی تولید کند که به سرعت جریان کانال را افزایش دهند. این پدیده می تواند برای راه اندازی سریع ترانزیستور (شبیه اثر تریستوری) استفاده شود.
در برخی طرح ها، از گیت بهمنی برای ایجاد یک مسیر تخلیه سریع بار در گیت استفاده می شود (مثلا در درایورهای گیت برای کلیدزنی سریع IGBT یا MOSFET قدرت). این کار باعث کاهش زمان خاموشی می شود.
\[ \text{تولید جفت الکترون-حفره توسط بهمن} \]Avalanche-Gate Transistor یک قطعه خاص است و در ادبیات فنی کمتر به آن اشاره شده است. معمولا در زمینه مدارهای پالس و تجهیزات اندازه گیری فوق سریع (زیر نانوثانیه) مطرح می شود.
