ترانزیستور با انتشار القایی (Induced-Base Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با انتشار القایی (Induced-Base Transistor) :
ترانزیستور با بیس القایی (Induced-Base Transistor) یک نوع ترانزیستور دوقطبی است که در آن ناحیه بیس توسط یک میدان الکتریکی (از طریق گیت) القا می شود، نه اینکه از قبل با ناخالصی ایجاد شده باشد. این ایده شبیه به کانال القایی در MOSFET است، اما در اینجا بیس یک لایه نازک از حامل های اقلیت است که در زیرلایه ظاهر می شود.
ساختار: یک دیود امیتر (N+) روی یک زیرلایه نوع P (یا ذاتی) قرار دارد. یک گیت عایق نیز در مجاورت ناحیه بین امیتر و کلکتور (که می تواند یک دیود شاتکی یا یک ناحیه N دیگر باشد) تعبیه شده است. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، یک لایه نازک از حامل های اقلیت (الکترون ها در زیرلایه P) در زیر گیت القا می شود که نقش بیس را بازی می کند. این بیس القایی می تواند حامل های تزریق شده از امیتر را به سمت کلکتور هدایت کند.
\[ n_{base} = C_{ox}(V_G - V_T)/q \quad \text{(چگالی حامل القایی)} \]مزایا: امکان کنترل بهره با ولتاژ گیت، حذف فرآیندهای نفوذ برای ساخت بیس. معایب: بهره پایین، مشکلات پایداری، و وابستگی شدید به کیفیت سطح.
این ترانزیستورها هرگز به تولید تجاری نرسیدند و عمدتا به عنوان موضوعات تحقیقاتی باقی ماندند.
