ترانزیستور با بیس داغ پیوندی (Heterojunction Hot-Electron Transistor - HHET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با بیس داغ پیوندی (Heterojunction Hot-Electron Transistor - HHET) :
HHET (Heterojunction Hot-Electron Transistor) نوعی ترانزیستور داغ (Hot-Electron) است که از هتروجانکشن ها برای بهبود تزریق الکترون های داغ و افزایش بهره استفاده می کند. این ترانزیستور ترکیبی از ایده های HBT و Hot-Electron Transistor است و هدف آن دستیابی به سرعت های بسیار بالا با بهره مناسب است.
ساختار HHET شامل یک امیتر با نیمه هادی گاف بزرگ (مانند AlGaAs)، یک بیس بسیار نازک با ناخالصی بالا از یک نیمه هادی با گاف متوسط (مانند GaAs) و یک کلکتور با گاف بزرگ (AlGaAs) است. در بایاس فعال، الکترون ها از امیتر به بیس تزریق می شوند و به دلیل اختلاف نوار رسانش در هتروجانکشن، انرژی جنبشی بالایی (داغ) کسب می کنند. بیس باید به قدری نازک باشد که الکترون ها بدون پراکندگی (بالیستیک) از آن عبور کنند. سپس الکترون های داغ که انرژی کافی دارند، از سد کلکتور عبور کرده و جریان کلکتور را تشکیل می دهند.
\[ \alpha = \exp(-W_B / \lambda) \quad , \quad \beta = \frac{\alpha}{1-\alpha} \]مزایای HHET: پتانسیل برای دستیابی به فرکانس های بسیار بالا (چند صد گیگاهرتز تا تراهرتز) به دلیل عبور بالیستیک الکترون ها. معایب: پیچیدگی ساخت (لایه های نازک با دقت اتمی)، بهره محدود (چون α معمولا کمتر از ۰.۹ است)، و وابستگی به مواد با کیفیت بالا (مانند AlGaAs/GaAs).
HHETها بیشتر در تحقیقات دانشگاهی و آزمایشگاه های پیشرفته ساخته شده اند و کاربرد تجاری گسترده ندارند.
