ترانزیستور با بیس داغ (Hot-Electron Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با بیس داغ (Hot-Electron Transistor) :
ترانزیستور با بیس داغ (Hot-Electron Transistor) نوعی ترانزیستور دوقطبی است که در آن الکترون ها با انرژی بالا (داغ) از امیتر به بیس تزریق می شوند و با عبور از بیس نازک (با حداقل پراکندگی) به کلکتور می رسند. این ساختار برای دستیابی به سرعت های بسیار بالا (تا چند صد گیگاهرتز) طراحی شده است.
اساس کار: در یک هتروجانکشن با بایاس مناسب، الکترون ها با انرژی جنبشی بالا (بیش از انرژی حرارتی) از امیتر به بیس تزریق می شوند. بیس باید بسیار نازک (چند ده نانومتر) و با ناخالصی بالا (برای کاهش مقاومت) باشد. الکترون های داغ به دلیل انرژی بالا، احتمالا بدون پراکندگی از بیس عبور کرده و به سد کلکتور (که پایین تر است) می رسند. الکترون هایی که انرژی کافی برای غلبه بر سد کلکتور را داشته باشند، وارد کلکتور شده و جریان را تشکیل می دهند.
\[ \alpha = \exp(-W_B / \lambda) \quad \text{(ضریب عبور بیس)} \]انواع مختلف Hot-Electron Transistor: THETA (Tunneling Hot-Electron Transfer Amplifier)، CHINT (Charge Injection Transistor)، و HET (Hot-Electron Transistor). این ترانزیستورها معمولا با مواد III-V (مانند GaAs/AlGaAs) و با ساختارهای چاه کوانتومی ساخته می شوند.
مزایا: سرعت بسیار بالا (f_T > 600 GHz). معایب: پیچیدگی ساخت، بهره جریان محدود (معمولا کمتر از ۱۰)، و وابستگی شدید به کیفیت لایه ها. این ترانزیستورها عمدتا در تحقیقات باقی مانده اند و کاربرد تجاری محدودی دارند.
