ترانزیستور با گیت-منبع فلزی (Metal-Base Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت-منبع فلزی (Metal-Base Transistor) :
ترانزیستور با بیس فلزی (Metal-Base Transistor) یک ترانزیستور دوقطبی است که در آن بیس از یک لایه فلز بسیار نازک (چند نانومتر) ساخته شده است. این ساختار در دهه ۱۹۶۰ به عنوان جایگزینی برای BJT با سرعت بالاتر پیشنهاد شد. ایده این بود که از فلز به جای نیمه هادی برای بیس استفاده شود تا مقاومت بیس کاهش یابد و فرکانس افزایش یابد.
ساختار: یک لایه فلز نازک (مانند طلا یا آلومینیوم) بین دو لایه نیمه هادی (امیتر و کلکتور) قرار می گیرد. در بایاس فعال، الکترون ها از امیتر (نوع N) با انرژی کافی (با غلبه بر سد شاتکی) به درون فلز تزریق می شوند. در فلز، الکترون ها به سرعت پراکنده شده و بخشی از آنها (با حفظ انرژی) به کلکتور می رسند و بخشی دیگر در فلز بازترکیب می شوند. بهره جریان (
\[ \beta \]) به ضریب عبور (انتقال) الکترون ها از فلز بستگی دارد.
\[ \beta \approx \frac{\alpha}{1-\alpha} \quad , \quad \alpha = \text{ضریب عبور} \]چالش اصلی Metal-Base Transistor، ضریب عبور پایین الکترون ها از لایه فلزی است (زیر ۰.۵) که منجر به بهره کم می شود. همچنین ساخت لایه فلزی با ضخامت چند نانومتر و بدون ناپیوستگی دشوار است. با وجود تحقیقات، این ترانزیستور هرگز به تولید تجاری نرسید.
ایده Metal-Base بعدها در ترانزیستورهای داغ (Hot-Electron Transistor) و ترانزیستورهای با پیوند ناهمسان (HBT) پیگیری شد که در آنها بیس نیمه هادی با ناخالصی بالا جایگزین فلز شد.
