ترانزیستور با اثر سد (Barrier-Injection Transit-Time Transistor - BARITT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با اثر سد (Barrier-Injection Transit-Time Transistor - BARITT) :
ترانزیستور BARITT (Barrier-Injection and Transit-Time) یک دیود مایکروویو است که از تزریق حامل ها از طریق یک سد (Barrier) و زمان عبور (Transit Time) آن ها در ناحیه رانفت برای ایجاد مقاومت منفی استفاده می کند. اگرچه به آن ترانزیستور گفته می شود، اما در واقع یک دیود دوپایه است و گیت ندارد. نام آن برگرفته از سازوکار عملکرد است: تزریق از طریق سد و زمان عبور.
ساختار BARITT شامل یک فلز-نیمه هادی-فلز (MSM) با دو اتصال شاتکی است که به صورت پشت سر هم قرار دارند. با اعمال ولتاژ کافی، یکی از اتصال ها در بایاس مستقیم، حفره ها را به ناحیه نیمه هادی تزریق می کند. این حامل ها با سرعت اشباع به سمت اتصال دیگر حرکت می کنند. اگر زمان عبور (τ) با دوره سیگنال هماهنگ باشد، امپدانس منفی ایجاد شده و می توان از آن برای نوسان سازی استفاده کرد.
\[ f_{osc} \approx \frac{v_s}{2L} \quad \text{(v_s سرعت اشباع، L طول)} \]BARITTها نسبت به IMPATT نویز کمتری دارند (به دلیل مکانیزم تزریق کم نویزتر)، اما توان خروجی و بازده کمتری نیز دارند. فرکانس کاری آنها معمولا تا ۱۰ گیگاهرتز است. کاربردها: نوسان سازهای محلی در گیرنده های مایکروویو، رادارهای کوتاه برد، و حسگرهای فرکانس بالا.
امروزه BARITTها عمدتا با فناوری های نیمه هادی III-V ساخته می شوند و کاربرد محدودی دارند.
