ترانزیستور رزونانسی تونلی (Resonant Tunneling Transistor - RTT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور رزونانسی تونلی (Resonant Tunneling Transistor - RTT) :
ترانزیستور رزونانسی تونلی (RTT) یک ترانزیستور است که از پدیده تونل زنی رزونانسی (Resonant Tunneling) برای کنترل جریان استفاده می کند. این ترانزیستورها معمولا شامل یک یا چند سد تونل زنی و چاه کوانتومی در مسیر جریان هستند. وقتی انرژی الکترون های ورودی با سطوح انرژی گسسته در چاه کوانتومی همخوانی داشته باشد، احتمال تونل زنی به شدت افزایش می یابد (رزونانس) و جریان زیاد می شود. با تغییر ولتاژ گیت، می توان این شرایط رزونانس را تنظیم کرد.
ساختار رایج RTT شامل یک دیود تونل زنی رزونانسی (RTD) است که با یک گیت ترکیب شده است. گیت با تغییر پتانسیل چاه کوانتومی، ولتاژ رزونانس را جابجا می کند. بنابراین می توان با ولتاژ گیت، جریان کلکتور (یا درین) را مدوله کرد. RTTها می توانند با مواد III-V (مانند GaAs/AlGaAs) یا Si/SiGe ساخته شوند.
\[ I \propto T(E) \quad \text{(ضریب عبور رزونانسی)} \]مزایای RTT: سرعت بسیار بالا (زیر پیکوثانیه)، قابلیت کار در فرکانس های تراهرتز، و امکان طراحی مدارهای با تراکم بالا (با استفاده از منطق چندمقداره). معایب: جریان پایین، نسبت پیک به دره (Peak-to-Valley Ratio) محدود، و دشواری ساخت.
RTTها هنوز در مرحله تحقیقاتی هستند و کاربردهای بالقوه در نوسان سازهای تراهرتز، مدارهای منطقی سریع، و سلول های حافظه دارند.
