ترانزیستور ابر تابان (Superluminescent Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور ابر تابان (Superluminescent Transistor) :
ترانزیستور ابرتابان (Superluminescent Transistor) یک ترانزیستور نوری (Light-Emitting Transistor) است که در آن، علاوه بر عملکرد الکتریکی معمولی، نور نیز با خاصیت ابرتابناکی (Superluminescence) تولید می شود. ابرتابناکی حالتی بین نشر خودبه خودی (LED) و نشر القایی (لیزر) است که در آن نور تقویت می شود اما بازخورد تشدیدگر (کاواک) وجود ندارد، بنابراین نور با پهنای باند وسیع تر و تا حدی جهت دار منتشر می شود.
این ترانزیستورها معمولا از مواد نیمه هادی با گاف مستقیم (مانند GaAs، InP) با ساختارهای چاه کوانتومی ساخته می شوند. در ساختار ترانزیستور نوری دوقطبی (HBT) یا ترانزیستور اثر میدانی، با تزریق جریان بالا به ناحیه فعال (مانند بیس در HBT)، وارونی جمعیت و نشر القایی رخ می دهد. با حذف بازخورد (مثلا با پوشش ضدبازتاب روی وجه)، نوسان لیزر سرکوب شده و ابرتابناکی حاصل می شود.
\[ P_{SL} \propto \exp(gL) \quad \text{(بدون تشدیدگر)} \]کاربردهای ترانزیستور ابرتابان: منابع نوری با پهنای طیفی وسیع و توان نسبتا بالا برای کاربردهایی مانند تصویربرداری با انسجام نوری (OCT)، فیبر نوری با پهنای طیف وسیع (WDM)، و حسگرهای فیبر نوری. همچنین این قطعات می توانند در مدارهای مجتمع فوتونیک به عنوان منبع نور پهن باند یکپارچه استفاده شوند.
ترانزیستورهای ابرتابان هنوز در مراحل تحقیقاتی و نیمه تجاری هستند و توسط گروه های تحقیقاتی مانند دانشگاه ایلینوی (تحت نظر پروفسور Feng) ساخته شده اند.
