ترانزیستور نوری اثر میدانی (Field-Effect Phototransistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور نوری اثر میدانی (Field-Effect Phototransistor) :
ترانزیستور نوری اثر میدانی (Photo-FET) یک FET (معمولا JFET یا MOSFET) است که به نور حساس طراحی شده است. در این ترانزیستورها، نور با تولید حامل های اضافی در ناحیه کانال، رسانایی آن را افزایش می دهد. همچنین نور می تواند با تغییر پتانسیل گیت (در MESFET) یا تخلیه ناحیه (در JFET) بر جریان تأثیر بگذارد.
در Photo-FETها، برخلاف فتوترانزیستور دوقطبی، خبری از بهره داخلی بالا نیست (چون FET ذاتا بهره جریان ندارد). اما می توان از FET به عنوان یک عنصر با امپدانس بالا و پاسخ سریع تر (نسبت به BJT) استفاده کرد. Photo-FETها معمولا در کاربردهایی که نیاز به سرعت بالا و نویز پایین دارند (مانند مخابرات نوری) استفاده می شوند.
\[ \Delta I_D = g_m \cdot \Delta V_{photo} \]Photo-MOSFETها نیز وجود دارند که در آنها نور با تغییر ولتاژ آستانه (
\[ V_{TH} \]) بر اثر تجمع بار در عایق گیت (یا گیت شناور) می تواند جریان را تغییر دهد. اما کاربرد اصلی Photo-FETها در آشکارسازهای نوری مجتمع با FET (به عنوان المان حسگر) است.
در مقایسه با فوتودیودها، Photo-FETها می توانند جریان خروجی بزرگتری داشته باشند (با ترانس امپدانس بالا) و گاهی نیازی به تقویت کننده خارجی ندارند.
