ترانزیستور نوری پیوندی دوقطبی (Bipolar Phototransistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور نوری پیوندی دوقطبی (Bipolar Phototransistor) :
ترانزیستور نوری دوقطبی (Bipolar Phototransistor) همان فتوترانزیستور معمولی است که بر اساس ساختار BJT ساخته شده است. در این ترانزیستور، ناحیه بیس به نور حساس است و نور باعث تولید جفت الکترون-حفره در این ناحیه می شود. الکترون های تولید شده (در بیس نوع P) به سمت کلکتور (با بایاس مناسب) رانده شده و جریان کلکتور را تشکیل می دهند.
ساختار فتوترانزیستور دوقطبی شبیه یک ترانزیستور NPN معمولی است با این تفاوت که محفظه (Package) دارای یک پنجره شفاف است تا نور به ناحیه بیس برسد. برای افزایش حساسیت، ناحیه بیس معمولا بزرگتر از ترانزیستورهای معمولی طراحی می شود. گاهی نیز از یک عدسی در محفظه برای متمرکز کردن نور روی ناحیه حساس استفاده می شود.
\[ I_C = \beta \cdot I_{photo} + I_{CEO} \quad \text{(I_{CEO} جریان تاریک)} \]مزایای فتوترانزیستور دوقطبی: بهره بالا (چند صد تا چند هزار)، خروجی جریان بالا (قابلیت راه اندازی مستقیم رله یا LED). معایب: سرعت پایین (به دلیل ظرفیت خازنی بزرگ و اثر ذخیره بار)، و وابستگی به دما.
فتوترانزیستورهای دوقطبی در اپتوکوپلرها (مانند 4N35)، حسگرهای نوری، و آشکارسازهای مادون قرمز (در فرکانس های پایین) به طور گسترده استفاده می شوند.
