ترانزیستور اپیتاکسیال-پراکنده (Epitaxial-Diffused Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اپیتاکسیال-پراکنده (Epitaxial-Diffused Transistor) :
ترانزیستور اپیتاکسیال-پراکنده (Epitaxial-Diffused Transistor) یک نوع ترانزیستور است که در آن از ترکیب لایه اپیتاکسیال و نفوذ (Diffusion) برای ایجاد ساختار استفاده می شود. این روش در دهه ۱۹۶۰ برای ساخت ترانزیستورهای سیلیکونی با فرکانس بالا و ولتاژ بالا رایج شد و پایه گذار فناوری پلانار (Planar) مدرن بود.
فرآیند ساخت: ابتدا یک لایه اپیتاکسیال با ناخالصی کم (معمولا نوع N) روی یک زیرلایه با ناخالصی بالا (نوع N+) رشد داده می شود. لایه اپیتاکسیال، ناحیه کلکتور با مقاومت بالا (برای تحمل ولتاژ بالا) را تشکیل می دهد و زیرلایه N+ مقاومت سری را کاهش می دهد. سپس با نفوذ (از طریق ماسک های اکسید)، ابتدا ناحیه بیس (نوع P) و سپس ناحیه امیتر (نوع N+) ایجاد می شود. این ساختار "اپیتاکسیال-نفوذی" نام دارد.
\[ \text{زیرلایه N+} \rightarrow \text{اپیتاکسی N-} \rightarrow \text{نفوذ P (بیس)} \rightarrow \text{نفوذ N+ (امیتر)} \]مزایای این ساختار نسبت به انواع قبلی: کاهش مقاومت کلکتور (به دلیل زیرلایه N+)، افزایش ولتاژ شکست (به دلیل لایه اپیتاکسیال با ناخالصی کم)، و بهبود فرکانس (به دلیل بیس نازک حاصل از نفوذ). این ساختار اساس ترانزیستورهای پلانار اپیتاکسیال شد که تا سال ها استاندارد صنعت بودند.
تقریبا تمام ترانزیستورهای سیلیکونی امروزی (اعم از BJT و MOSFET) در نسخه های پیشرفته خود از ترکیب اپیتاکسی و نفوذ (یا کاشت یون) استفاده می کنند. اگرچه اصطلاح "اپیتاکسیال-پراکنده" امروزه کمتر به کار می رود، اما اصل آن همچنان پابرجاست.
