ترانزیستور اپیتاکسیال-آلیاژی (Epitaxial-Alloy Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اپیتاکسیال-آلیاژی (Epitaxial-Alloy Transistor) :
ترانزیستور اپیتاکسیال-آلیاژی یک نوع ترانزیستور هیبریدی است که در آن از هر دو تکنیک اپیتاکسی و آلیاژسازی برای ایجاد ساختار استفاده می شود. این روش در اواخر دهه ۱۹۵۰ و اوایل ۱۹۶۰ برای بهبود عملکرد ترانزیستورهای آلیاژی به کار رفت.
در این روش، ابتدا یک لایه اپیتاکسیال (معمولا از جنس ژرمانیوم یا سیلیکون) با ناخالصی کنترل شده روی یک زیرلایه با ناخالصی بالا رشد داده می شود. سپس با فرآیند آلیاژسازی (مانند ذوب یک گلوله فلزی روی سطح)، نواحی امیتر و گاهی کلکتور ایجاد می شود. لایه اپیتاکسیال به عنوان ناحیه کلکتور یا بیس عمل می کند و آلیاژ، امیتر را می سازد.
\[ \text{زیرلایه + اپیتاکسی} \rightarrow \text{آلیاژسازی برای امیتر} \]مزایا نسبت به ترانزیستور آلیاژی ساده: کنترل بهتر بر غلظت و ضخامت نواحی، فرکانس بالاتر. این ترانزیستورها عمدتا در کاربردهای با فرکانس متوسط (چند ده مگاهرتز) استفاده می شدند. با ظهور ترانزیستورهای کاملا نفوذی (Diffused) و سپس پلانار، این فناوری نیز منسوخ شد.
ترانزیستورهای اپیتاکسیال-آلیاژی امروزه در موزه ها یافت می شوند و نقشی در تکامل فناوری نیمه هادی داشتند.
