ترانزیستور رشد یافته (Grown Junction Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور رشد یافته (Grown Junction Transistor) :
ترانزیستور رشد یافته (Grown Junction Transistor) یکی از اولین روش های ساخت ترانزیستورهای پیوندی (BJT) بود که در اوایل دهه ۱۹۵۰ توسعه یافت. در این روش، یک بلور نیمه هادی (معمولا ژرمانیوم) به صورت کنترل شده از داخل یک کوره کشیده می شود (روش چکرالسکی) و در حین رشد، ناخالصی های مختلف به مذاب اضافه می شود تا لایه های متوالی با نوع ناخالصی متفاوت ایجاد شود.
فرآیند: ابتدا یک بذر بلور در مذاب ژرمانیوم قرار می گیرد و به آرامی بالا کشیده می شود. در حین رشد، ابتدا مقدار کمی ناخالصی دهنده (برای لایه کلکتور نوع N) به مذاب اضافه می شود. سپس یک گلوله کوچک از ماده پذیرنده (برای ایجاد لایه بیس نوع P) به مذاب اضافه می شود و پس از رشد لایه بیس، دوباره ناخالصی دهنده (برای امیتر نوع N) اضافه می شود. به این ترتیب یک بلور با سه لایه متوالی N-P-N ایجاد می شود. سپس بلور برش داده می شود و هر قطعه به یک ترانزیستور تبدیل می شود.
\[ \text{N-P-N} \quad \text{یا} \quad \text{P-N-P} \]مزایای این روش: امکان ساخت ترانزیستورهای پیوندی با خلوص بالا. معایب: کنترل ضعیف بر ضخامت لایه بیس (معمولا ضخیم، بنابراین فرکانس پایین)، و مشکل در ایجاد اتصالات به لایه های میانی.
این ترانزیستورها امروزه فقط اهمیت تاریخی دارند و اولین ترانزیستورهای تجاری (مانند CK722) از این نوع بودند.
