ترانزیستور آلیاژی (Alloy Junction Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور آلیاژی (Alloy Junction Transistor) :
ترانزیستور آلیاژی (Alloy Junction Transistor) نوعی ترانزیستور دوقطبی (BJT) است که در آن نواحی امیتر و کلکتور با آلیاژ کردن یک فلز (مانند ایندیوم یا آلومینیوم) با زیرلایه نیمه هادی (معمولا ژرمانیوم) ایجاد می شود. این فناوری در اوایل دهه ۱۹۵۰ (پس از ترانزیستور نقطه ای) رایج بود.
فرآیند ساخت: یک گلوله کوچک از فلز (مثلا ایندیوم که پذیرنده است) روی یک ویفر ژرمانیوم نوع N قرار می گیرد. مجموعه تا دمای بالا (حدود ۵۰۰ درجه) حرارت داده می شود تا فلز ذوب شده و با ژرمانیوم آلیاژ شود. پس از سرد شدن، یک ناحیه بازتبلور یافته از ژرمانیوم با ناخالصی بالای P (چون ایندیوم پذیرنده است) تشکیل می شود. این ناحیه، امیتر یا کلکتور P را در زیرلایه N ایجاد می کند. با تکرار این فرآیند در دو طرف ویفر، یک ترانزیستور P-N-P ساخته می شود.
\[ \text{آلیاژ: Ge + In} \rightarrow \text{ناحیه P با ناخالصی بالا} \]مزایای ترانزیستورهای آلیاژی: سادگی فرآیند (برای زمان خود)، قابلیت تولید ترانزیستورهای قدرتی. معایب: کنترل ضعیف بر ابعاد (عمق و پهنای نواحی)، فرکانس محدود (چون بیس نسبتا عریض بود)، و مشکلات قابلیت اطمینان.
ترانزیستورهای آلیاژی تا اواخر دهه ۱۹۵۰ تولید می شدند تا اینکه با ظهور ترانزیستورهای نفوذی (Diffused) و سپس پلانار (Planar) منسوخ شدند. امروزه این قطعات فقط جنبه تاریخی دارند و در مجموعه ها یافت می شوند.
