ترانزیستور با ناخالصی پراکنده (Diffused Junction Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با ناخالصی پراکنده (Diffused Junction Transistor) :
ترانزیستور با ناخالصی پراکنده (Diffused Junction Transistor) نوعی ترانزیستور (معمولا BJT) است که در آن نواحی امیتر، بیس و کلکتور با استفاده از روش نفوذ (Diffusion) ناخالصی ها در دمای بالا ایجاد می شوند. این فناوری در دهه ۱۹۵۰ و ۱۹۶۰ جایگزین روش های قبلی (آلیاژی و رشد یافته) شد و امکان ساخت ترانزیستورهای با فرکانس بالاتر و قابلیت اطمینان بهتر را فراهم کرد.
در فرآیند نفوذ، ویفر نیمه هادی در معرض گاز حاوی ناخالصی (مانند فسفر برای نوع N یا بور برای نوع P) در دمای بالا (حدود ۱۰۰۰ درجه) قرار می گیرد. اتم های ناخالصی به داخل ویفر نفوذ کرده و نواحی با غلظت مشخص ایجاد می کنند. با کنترل دما و زمان، می توان عمق و غلظت نفوذ را تنظیم کرد. در ترانزیستورهای نفوذی، معمولا ابتدا بیس با نفوذ P در یک زیرلایه N ایجاد می شود، سپس امیتر با نفوذ N+ در داخل ناحیه بیس ساخته می شود.
\[ x_j = \sqrt{4Dt} \quad \text{(عمق نفوذ)} \]مزایای ترانزیستورهای نفوذی نسبت به انواع قبلی: کنترل بهتر ابعاد (طول کانال کوتاه تر)، یکنواختی بیشتر، و قابلیت تولید انبوه. این فناوری پایه و اساس ساخت ترانزیستورهای سیلیکونی مدرن را بنا نهاد. امروزه نیز از نفوذ (هر چند به همراه کاشت یون) در ساخت ترانزیستورها استفاده می شود.
اصطلاح Diffused Junction Transistor بیشتر جنبه تاریخی دارد و به ترانزیستورهای دهه ۱۹۶۰ اشاره می کند، اما اصل فناوری همچنان به کار می رود.
