ترانزیستور با لایه اپیتاکسیال (Epitaxial Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با لایه اپیتاکسیال (Epitaxial Transistor) :
ترانزیستور با لایه اپیتاکسیال به ترانزیستوری گفته می شود که در آن یک یا چند لایه از ساختار با روش اپیتاکسی (Epitaxy) روی زیرلایه رشد داده شده است. اپیتاکسی فرآیندی است که در آن یک لایه نازک بلوری با آرایش شبکه ای مشابه زیرلایه (یا با کمی اختلاف) روی آن رشد می کند. این تکنیک امکان کنترل دقیق ضخامت، ناخالصی و ترکیب مواد را فراهم می کند.
در ترانزیستورهای سیلیکونی، لایه اپیتاکسیال اغلب برای ایجاد یک لایه با ناخالصی کم (برای ناحیه کلکتور در BJT یا ناحیه رانفت در MOSFET) روی زیرلایه با ناخالصی بالا (برای کاهش مقاومت) استفاده می شود. در ترانزیستورهای III-V (مانند HEMT و HBT)، تقریبا تمام ساختار با لایه های اپیتاکسیال متوالی (با روش هایی مانند MBE یا MOCVD) ساخته می شود تا هتروجانکشن های مورد نظر ایجاد شوند.
\[ \text{ضخامت اپیتاکسیال} \approx 0.5\text{–}10\,\mu m \]مزایای ترانزیستورهای اپیتاکسیال: کیفیت بالای کریستالی، کنترل دقیق پروفایل ناخالصی، امکان ساخت ساختارهای پیچیده (مانند ناهمسان ها). معایب: هزینه بالاتر (به دلیل فرآیندهای MBE/MOCVD)، زمان بر بودن.
تقریبا تمام ترانزیستورهای پیشرفته امروزی (به جز برخی TFTها) شامل لایه های اپیتاکسیال هستند، بنابراین این اصطلاح بیشتر در زمینه ساخت (Process Technology) به کار می رود تا یک نوع خاص ترانزیستور.
