ترانزیستور آنتیمونید ایندیم (Indium Antimonide Transistor - InSb)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور آنتیمونید ایندیم (Indium Antimonide Transistor - InSb) :
ترانزیستور آنتیمونید ایندیم (InSb) یک ترانزیستور ساخته شده از آنتیمونید ایندیم، یک نیمه هادی III-V با کمترین گاف انرژی در میان نیمه هادی های رایج (۰.۱۷ eV در دمای اتاق) و بالاترین تحرک الکترون (تا ۷۸۰۰۰
\[ cm^2/V\cdot s \]). این ویژگی ها InSb را برای کاربردهای حسگر مغناطیسی بسیار حساس و ترانزیستورهای با سرعت فوق العاده بالا (با ولتاژ پایین) جذاب کرده است.
ترانزیستورهای InSb معمولا از نوع HEMT یا FET با کانال InSb و لایه های سد AlInSb ساخته می شوند. به دلیل تحرک بسیار بالا، می توانند با ولتاژ تغذیه بسیار پایین (زیر ۰.۵ ولت) کار کنند و سرعت بالایی داشته باشند. این ویژگی برای مدارهای کم مصرف و پرسرعت ایده آل است. همچنین InSb در حسگرهای اثر هال بسیار حساس (برای تشخیص میدان های مغناطیسی ضعیف) استفاده می شود.
\[ \mu_n \approx 78000\,\text{cm}^2/V\cdot s \quad , \quad E_g = 0.17\,\text{eV} \]مزایا: تحرک فوق العاده بالا، ولتاژ کاری پایین، حساسیت مغناطیسی بالا. معایب: گاف انرژی کوچک منجر به جریان نشتی بالا و محدودیت دمای کار (معمولا تا دمای اتاق قابل استفاده است، اما بهتر است در دماهای پایین تر کار کند)، تکنولوژی ساخت کمتر توسعه یافته.
کاربردهای InSb: حسگرهای مغناطیسی فوق حساس (مثلا در هد دیسک های سخت یا تشخیص میدان های زیستی)، ترانزیستورهای کم مصرف برای کاربردهای خاص (مانند محاسبات کوانتومی)، و آشکارسازهای فروسرخ (به دلیل گاف کوچک). InSb عمدتا در کاربردهای تحقیقاتی و نظامی/فضایی استفاده می شود.
