ترانزیستور فسفید ایندیم (Indium Phosphide Transistor - InP)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور فسفید ایندیم (Indium Phosphide Transistor - InP) :
ترانزیستور فسفید ایندیم (InP) یک ترانزیستور ساخته شده از فسفید ایندیم، یک نیمه هادی مرکب III-V با گاف انرژی متوسط (۱.۳۴ eV) و تحرک الکترون بسیار بالا است. InP به عنوان ماده ای برای کاربردهای فرکانس فوق بالا (تراهرتز) و اپتوالکترونیک (ارتباطات نوری) شناخته می شود.
انواع ترانزیستورهای InP شامل HEMT (با کانال InGaAs) و HBT هستند. InP HEMTها با استفاده از هتروجانکشن InAlAs/InGaAs روی زیرلایه InP، گاز الکترونی دوبعدی با تحرک فوق العاده بالا (بیش از ۱۰۰۰۰
\[ cm^2/V\cdot s \]) و چگالی خوب ایجاد می کنند. InP HBTها نیز برای سرعت های بالا با استفاده از لایه های InP/InGaAs ساخته می شوند. این ترانزیستورها قادر به کار در فرکانس های بالای ۶۰۰ گیگاهرتز هستند و رکوردهای فرکانس (f_max بالای ۱ تراهرتز) را ثبت کرده اند.
\[ \mu_n \approx 12000\,\text{cm}^2/V\cdot s \quad , \quad f_T > 600\,\text{GHz} \]کاربردهای InP: تقویت کننده های کم نویز در مخابرات نوری (سیستم های با نرخ بیت بالا، مثلا ۱۰۰ گیگابیت بر ثانیه)، گیرنده های امواج میلی متری و تراهرتز (برای تصویربرداری و طیف سنجی)، و تجهیزات آزمایشگاهی پیشرفته (مانند اسیلوسکوپ های ۱۰۰+ گیگاهرتز). همچنین در مدارهای مجتمع فوتونیک (PIC) برای کاربردهای ارتباطی استفاده می شود.
معایب InP: هزینه بسیار بالای زیرلایه، شکنندگی ویفرها (تکنولوژی کمتر بالغ نسبت به GaAs)، و عدم سازگاری با CMOS. بنابراین InP محدود به کاربردهای ویژه و با ارزش بالا است.
