ترانزیستور با گیت اسپینی (Spin-Gate Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت اسپینی (Spin-Gate Transistor) :
Spin-Gate Transistor نوعی ترانزیستور اسپینی است که در آن گیت، مستقیما جهت اسپین را کنترل می کند (مشابه Spin-Orbit Transistor). این اصطلاح گاهی به طور کلی برای هر ترانزیستوری که گیت بر اسپین تأثیر می گذارد به کار می رود، اما معمولا به ساختارهایی اطلاق می شود که در آنها گیت مغناطیسی یا گیت با میدان مغناطیسی موضعی وجود دارد.
یک نوع Spin-Gate Transistor، ترانزیستور با گیت فرومغناطیسی است. در این ساختار، گیت از یک لایه فرومغناطیس ساخته می شود که با اعمال جریان یا ولتاژ، میدان مغناطیسی آن تغییر کرده و جهت اسپین در کانال را تحت تأثیر قرار می دهد. نوع دیگر، ترانزیستور با گیت دارای میدان مغناطیسی ناشی از سیم های حامل جریان است.
\[ \vec{B}_{eff} \propto M_{gate} \quad \text{(مغناطش گیت)} \]این ترانزیستورها می توانند به عنوان حافظه غیرفرار (MRAM) یا المان های منطقی قابل برنامه ریزی عمل کنند. مزایا: غیرفرار بودن، سرعت بالا. معایب: پیچیدگی ساخت (ترکیب فرومغناطیس با نیمه هادی) و تزریق اسپین مؤثر.
پیشرفت در مواد دو بعدی مغناطیسی (مانند CrI3 و Fe3GeTe2) ممکن است به تحقق Spin-Gate Transistorهای عملی در آینده کمک کند.
