ترانزیستور با نازک لایه فروالکتریک (Ferroelectric TFT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با نازک لایه فروالکتریک (Ferroelectric TFT) :
Ferroelectric TFT (FeTFT) ترکیبی از فناوری TFT و فروالکتریک است. در این ترانزیستور، لایه نیمه هادی (معمولا اکسید فلزی مانند IGZO یا سیلیکون آمورف) با یک لایه فروالکتریک به عنوان عایق گیت ترکیب می شود تا یک ترانزیستور نازک لایه با قابلیت حافظه غیرفرار ایجاد کند.
FeTFTها برای کاربردهایی که نیاز به ترانزیستورهای ارزان، قابل ساخت بر روی زیرلایه های بزرگ و انعطاف پذیر با قابلیت ذخیره سازی دارند، جذاب هستند. مثلا در نمایشگرهای قابل انعطاف با حافظه داخلی پیکسل، برچسب های هوشمند، و حسگرهای یکپارچه.
مواد فروالکتریک مورد استفاده در FeTFT می توانند از نوع پلیمری (مانند PVDF-TrFE) یا اکسیدهای فروالکتریک (مانند PZT و HZO) باشند. پلیمرهای فروالکتریک مزیت پردازش در دمای پایین و سازگاری با زیرلایه های پلاستیکی را دارند، اما ثبات و تحمل چرخه کمتری دارند. HZO نیاز به دمای بالاتر دارد اما عملکرد بهتری ارائه می دهد.
\[ \text{حافظه غیرفرار} \quad , \quad \text{ساخت آسان} \]چالش های FeTFT: یکنواختی لایه فروالکتریک روی سطح بزرگ، پایداری در برابر خمش (برای کاربردهای انعطاف پذیر)، و ولتاژ کاری نسبتا بالا (چند ولت). تحقیقات برای بهبود این موارد ادامه دارد.
FeTFTها هنوز به تولید انبوه نرسیده اند، اما پتانسیل خوبی برای نسل آینده نمایشگرها و برچسب های هوشمند دارند.
