ترانزیستور با گیت فروالکتریک (Ferroelectric Gate FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت فروالکتریک (Ferroelectric Gate FET) :
Ferroelectric Gate FET مشابه FeFET است و تأکید بر این دارد که گیت (یا بخشی از پشته گیت) از ماده فروالکتریک ساخته شده است. این ترانزیستورها قادر به حفظ حالت خود بدون اعمال ولتاژ هستند (غیرفرار). برخلاف FGMOS (گیت شناور) که بار در یک گیت رسانا ذخیره می شود، در FeFET حالت توسط قطبش فروالکتریک ذخیره می شود.
مکانیزم عملکرد: فروالکتریک دارای دو جهت قطبش ماندگار است. با اعمال ولتاژ مثبت به گیت، قطبش به سمت بالا (به سمت گیت) جهت می گیرد. این قطبش، بار مثبت در سطح مشترک با کانال القا می کند که باعث کاهش
\[ V_{TH} \](برای NMOS) می شود. با اعمال ولتاژ منفی، قطبش معکوس شده و
\[ V_{TH} \]افزایش می یابد. برای خواندن حالت، کافیست جریان ترانزیستور اندازه گیری شود (بدون تغییر حالت).
\[ \text{حالت "۰": } V_{TH} = V_{TH0} + \Delta V \quad , \quad \text{حالت "۱": } V_{TH} = V_{TH0} - \Delta V \]مزایا نسبت به حافظه های فلش: سرعت نوشتن بسیار بالاتر (نانوثانیه)، مصرف انرژی کمتر، و تحمل چرخه بیشتر. معایب: اندازه پنجره حافظه (تفاوت
\[ V_{TH} \]) ممکن است کوچک باشد و خواندن مکرر می تواند منجر به کاهش تدریجی قطبش شود.
FeFETها به عنوان یکی از گزینه های اصلی برای حافظه های تعبیه شده در فناوری های زیر ۲۸ نانومتر مطرح هستند.
