ترانزیستور با گیت پیچیده شده (Wrap-Around Gate FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت پیچیده شده (Wrap-Around Gate FET) :
Wrap-Around Gate FET اصطلاحی عمومی برای ترانزیستورهایی است که گیت دورتادور کانال را احاطه کرده است. این مفهوم شامل GAAFET (Gate-All-Around) و همچنین ساختارهایی می شود که گیت به طور کامل یا تقریبا کامل کانال را می پوشاند. گاهی این اصطلاح برای ترانزیستورهای با کانال عمودی که گیت دور آنها پیچیده شده نیز به کار می رود.
هدف از Wrap-Around Gate، حداکثر کردن کنترل الکترواستاتیکی گیت بر کانال است. با پوشاندن کامل کانال توسط گیت، خطوط میدان از همه طرف کانال را محاصره کرده و پتانسیل کانال به طور مؤثرتری کنترل می شود. این امر باعث کاهش چشمگیر اثرات کانال کوتاه (مانند DIBL و پانچ ترو) می شود و امکان کاهش طول گیت به زیر ۱۰ نانومتر را فراهم می کند.
\[ \text{ضریب کنترل} \propto \frac{C_{ox}}{C_{dep}} \quad \text{(با احاطه کامل)} \]در GAAFET (چه نانوسیم و چه نانوشیت)، گیت به طور کامل دورتادور کانال را می پوشاند و بهترین کنترل را ارائه می دهد. در FinFET (Tri-gate) گیت سه طرف را می پوشاند و طرف چهارم (زیر کانال) توسط اکسید مدفون (BOX) عایق شده، بنابراین Wrap-Around کامل نیست.
با پیشرفت به سوی گره های زیر ۳ نانومتر، Wrap-Around Gate (GAA) ضروری شده است. تحقیقات بر روی مواد با تحرک بالا (مانند Ge و III-V) در این ساختارها ادامه دارد.
