ترانزیستور با گیت سه گانه (Triple-Gate MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور با گیت سه گانه (Triple-Gate MOSFET) :
Triple-Gate MOSFET یک ترانزیستور اثر میدانی است که گیت در سه طرف کانال قرار دارد. این ساختار معروف ترین نمونه اش FinFET اینتل (و سایر سازندگان) است که در آن کانال به صورت یک باله (Fin) از زیرلایه بیرون آمده و گیت روی دو طرف و بالای فین را می پوشاند. بنابراین عملا سه طرف کانال (چپ، راست، بالا) توسط گیت کنترل می شود.
در Triple-Gate MOSFET، کنترل الکترواستاتیکی بسیار بهتر از MOSFET مسطح و حتی Double-Gate است. میدان الکتریکی از سه جهت کانال را تحت تأثیر قرار می دهد و باعث می شود که حتی با کاهش طول گیت (Lg) به زیر ۲۰ نانومتر، اثرات کانال کوتاه (مانند DIBL و کاهش سد) قابل کنترل باشند. این فناوری امکان ادامه قانون مور را تا گره های ۷ نانومتر و ۵ نانومتر فراهم کرد.
\[ SS \approx 65\text{–}70\,\text{mV/dec} \quad , \quad DIBL \approx 30\text{–}50\,\text{mV/V} \]مزایای Triple-Gate MOSFET نسبت به Planar: جریان روشن بالاتر (به دلیل عرض مؤثر بیشتر)، جریان خاموشی کمتر (به دلیل کنترل بهتر کانال)، و امکان کاهش ولتاژ تغذیه. معایب: پیچیدگی ساخت (ایجاد فین های باریک و بلند با نسبت ابعاد بالا)، افزایش ظرفیت خازنی گیت، و اثرات کوانتومی در فین های بسیار باریک.
Triple-Gate MOSFET (همان FinFET) ستون فقرات تمام پردازنده های مدرن از ۲۰۱۱ تا امروز است و هنوز در گره های ۱۴ نانومتر تا ۵ نانومتر استفاده می شود.
