ترانزیستور MBCFET (انگلیسی : Multi-Bridge Channel FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور MBCFET (انگلیسی : Multi-Bridge Channel FET) :
MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) نام تجاری سامسونگ برای ترانزیستورهای GAAFET با کانال ورقه ای (Nanosheet) است. این فناوری اولین بار در سال ۲۰۱۹ معرفی شد و سامسونگ ادعا کرد که اولین شرکتی است که GAAFET را به تولید انبوه می رساند. MBCFET در گره ۳ نانومتر (3GAE) سامسونگ به کار رفته است.
ساختار MBCFET شامل چندین ورقه نانویی (Nanosheet) از جنس سیلیکون (یا SiGe) است که به صورت پشته ای روی هم قرار گرفته اند و هر ورقه توسط یک پل (Bridge) به سورس و درین متصل است. گیت دورتادور هر ورقه را احاطه کرده و کاملا آن را می پوشاند. این طراحی اجازه می دهد تا عرض کانال مؤثر (
\[ W_{eff} \]) به راحتی با تغییر عرض ورقه تنظیم شود، بدون اینکه ابعاد کلی ترانزیستور (مانند گام) تغییر کند.
\[ \text{تعداد ورقه ها} = 3 \text{ یا } 4 \quad , \quad W_{sheet} \approx 20\text{–}50\,\text{nm} \]مزایای MBCFET نسبت به FinFET: جریان رانش بالاتر (تا ۳۰٪ بیشتر)، کنترل بهتر کانال (کاهش نشتی)، و انعطاف پذیری در طراحی (امکان تنظیم عملکرد با تغییر عرض ورقه). سامسونگ ادعا می کند که MBCFET عملکردی مشابه FinFET دارد اما با مصرف توان کمتر (تا ۵۰٪ کاهش) یا عملکرد بالاتر در ولتاژ یکسان.
چالش های MBCFET: پیچیدگی فرآیند ساخت (لایه برداری دقیق و اچ کردن برای ایجاد ورقه های شناور)، نیاز به دپو و اچینگ انتخابی، و افزایش ظرفیت خازنی بین گیت و کانال. با این حال، سامسونگ با بهینه سازی فرآیند، این چالش ها را مدیریت کرده است.
MBCFET گام مهمی در ادامه قانون مور است و انتظار می رود سایر سازندگان (مانند TSMC و اینتل) نیز فناوری های مشابهی را برای گره های زیر ۳ نانومتر معرفی کنند.
