ترانزیستور اثر میدانی با کانال القایی (Induced-Channel FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با کانال القایی (Induced-Channel FET) :
Induced-Channel FET به طور کلی به هر ترانزیستور اثر میدانی گفته می شود که کانال رسانا در آن توسط میدان الکتریکی القا می شود (یعنی در غیاب میدان، کانالی وجود ندارد). این دقیقا همان عملکرد MOSFETهای حالت افزایشی (Enhancement Mode) است که پیشتر توضیح داده شد. اما گاهی این اصطلاح برای تأکید بر مکانیزم القای کانال به کار می رود.
در این ترانزیستورها، وقتی ولتاژ گیت کمتر از ولتاژ آستانه (
\[ V_{TH} \]) است، هیچ کانال رسانایی بین سورس و درین وجود ندارد و ترانزیستور خاموش است. با افزایش ولتاژ گیت (برای NMOS مثبت)، الکترون ها به سطح زیر اکسید جذب شده و یک لایه نازک با حامل های مخالف نوع زیرلایه ایجاد می کنند که همان کانال القایی است. این پدیده "وارونگی" (Inversion) نام دارد.
\[ V_{GS} > V_{TH} \quad \Rightarrow \quad \text{کانال القا می شود} \]تمامی MOSFETهای دیجیتال امروزی (در CPUها و حافظه ها) از نوع Induced-Channel (افزایشی) هستند، زیرا در حالت خاموش جریان بسیار کمی (نشت) دارند و توان ایستا نزدیک صفر است. این ویژگی برای مدارهای با تراکم بالا حیاتی است.
اصطلاح Induced-Channel FET گاهی برای تمایز با ترانزیستورهای ذاتا رسانا (مانند JFET و depletion-mode MOSFET) به کار می رود.
