ترانزیستور اثر میدانی با اتصال نقطه ای (Point-Contact FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با اتصال نقطه ای (Point-Contact FET) :
Point-Contact FET یک مفهوم تاریخی و آزمایشی است که به ترانزیستورهایی اطلاق می شود که در آنها گیت توسط یک تماس نقطه ای (نوک فلزی بسیار تیز) با کانال برقرار می شود. این ایده از ترانزیستور نقطه ای (Point-Contact Transistor) که اولین ترانزیستور ساخته شده توسط باردین و براتین (۱۹۴۷) بود، الهام گرفته شده است.
در Point-Contact FET، یک نوک فلزی (معمولا طلا یا تنگستن) به عنوان گیت عمل می کند که مستقیما روی سطح نیمه هادی (مثلا سیلیکون یا GaAs) قرار می گیرد و یک اتصال شاتکی یا یک تماس اهمی بسیار کوچک ایجاد می کند. با اعمال ولتاژ به این نوک، میدان الکتریکی موضعی می تواند کانال زیرین را مدوله کند.
\[ r_{contact} \approx \frac{\rho}{2a} \quad \text{(مقاومت پخش برای تماس نقطه ای)} \]این ساختارها امروزه بیشتر در تحقیقات فیزیک بنیادی و برای مطالعه خواص موضعی نیمه هادی ها (مثل میکروسکوپ SPM) استفاده می شوند، نه برای کاربردهای عملی. مزایا: امکان بررسی خواص در مقیاس نانو. معایب: ظرفیت خازنی بالا، جریان محدود، و تکرارپذیری پایین.
Point-Contact FETها جای خود را به ترانزیستورهای مدرن با گیت های پلی سیلیکونی یا فلزی داده اند، اما از نظر تاریخی اهمیت دارند.
