ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ دوگانه (Double-Diffusion FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ دوگانه (Double-Diffusion FET) :
Double-Diffusion FET (DMOS) به خانواده ای از MOSFETهای قدرت اطلاق می شود که در آنها کانال با دو مرحله نفوذ (Double Diffusion) ایجاد می شود: ابتدا ناحیه P-body و سپس ناحیه N+ سورس در داخل P-body نفوذ داده می شود. طول کانال توسط تفاوت نفوذ جانبی این دو ناحیه تعیین می شود که بسیار دقیق و کوچک است.
دو نوع اصلی DMOS وجود دارد: عمودی (VDMOS) و جانبی (LDMOS). در VDMOS جریان به صورت عمقی جریان می یابد و در LDMOS به صورت جانبی. هر دو از تکنیک نفوذ دوگانه برای ایجاد کانال کوتاه و کنترل شده استفاده می کنند.
\[ L_{ch} \approx \sqrt{4D_p t_p} - \sqrt{4D_n t_n} \quad \text{(تفاوت نفوذها)} \]مزیت اصلی Double-Diffusion FET این است که می توان کانال های بسیار کوتاه (زیر میکرون) با استفاده از لیتوگرافی معمولی ساخت، زیرا طول کانال توسط فرآیند نفوذ کنترل می شود نه توسط لیتوگرافی. این ویژگی DMOS را برای ساخت ترانزیستورهای قدرت با فرکانس بالا مناسب می سازد.
تقریبا تمام MOSFETهای قدرت امروزی از ساختار DMOS استفاده می کنند. آنها در منابع تغذیه، کنترل موتور، و تقویت کننده های صوتی کاربرد دارند.
