ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ جانبی (Lateral Diffusion FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ جانبی (Lateral Diffusion FET) :
Lateral Diffusion FET (معمولا LDMOS) به ترانزیستورهایی اطلاق می شود که در آنها ناحیه درین با نفوذ جانبی (Lateral Diffusion) ساخته می شود تا بتواند ولتاژ بالایی را تحمل کند. این ساختار به طور گسترده در آیسی های قدرت و RF استفاده می شود و قبلا در شماره ۳۸ (LDMOS) توضیح داده شد.
در Lateral Diffusion FET، ناحیه کانال و ناحیه رانفت (Drift Region) هر دو در سطح ویفر قرار دارند. گیت روی کانال و بخشی از ناحیه رانفت قرار می گیرد. با این طراحی، ولتاژ شکست با طول ناحیه رانفت (
\[ L_{drift} \]) تعیین می شود. این ترانزیستورها می توانند در کنار مدارهای CMOS استاندارد ساخته شوند.
\[ BV_{DSS} \approx \frac{\epsilon_s E_{crit}^2}{2q N_{drift}} \quad , \quad L_{drift} \propto BV_{DSS} \]کاربردهای Lateral Diffusion FET: درایورهای LED، مبدل های DC-DC، تقویت کننده های RF (تا چند گیگاهرتز). مزایا: سازگاری با فناوری CMOS، هزینه کمتر نسبت به ساختارهای عمودی مجزا. معایب: مقاومت بالاتر در ولتاژهای بالا (به دلیل مسیر طولانی جانبی).
LDMOS برای دهه ها در تقویت کننده های توان ایستگاه های پایه مخابراتی غالب بود، اما اکنون با GaN HEMT رقابت می کند.
