ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ عمودی (Vertical Diffusion FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با نفوذ عمودی (Vertical Diffusion FET) :
Vertical Diffusion FET یک ساختار ترانزیستور اثر میدانی است که در آن جریان به صورت عمودی (از بالا به پایین) جریان می یابد و نواحی سورس و درین با نفوذ (Diffusion) عمودی ایجاد می شوند. این اصطلاح گاهی برای اشاره به VDMOS (که قبلا توضیح داده شد) یا ترانزیستورهای عمودی با گیت عایق به کار می رود.
در این ترانزیستورها، کانال به صورت عمودی در کنار یک شیار یا ستون قرار دارد و گیت می تواند به صورت پلانار یا عمودی (درون شیار) باشد. هدف اصلی کاهش سطح اشغالی (Footprint) و افزایش چگالی جریان است. با ساختار عمودی، طول کانال توسط عمق نفوذ کنترل می شود و می تواند بسیار کوتاه باشد.
\[ L_{ch} \approx x_{jp} - x_{jn} \quad \text{(تفاوت نفوذها)} \]کاربردهای Vertical Diffusion FET عمدتا در توان (Power MOSFETها) و همچنین در ترانزیستورهای عمودی برای حافظه ها و مدارهای مجتمع با تراکم بالا مطرح است. مزایا: چگالی جریان بالا، کاهش اثرات کانال کوتاه (به دلیل کنترل بهتر گیت). معایب: پیچیدگی ساخت (نیاز به اچ عمیق و پرکردن با مواد مختلف).
امروزه ساختارهای عمودی مانند Vertical FET (VFET) و Vertical Nanowire FET در گره های پیشرفته (زیر ۵ نانومتر) مورد توجه قرار گرفته اند.
