ترانزیستور اثر میدانی انتشار (Emission FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی انتشار (Emission FET) :
Emission FET یک ترانزیستور اثر میدانی است که در آن جریان از طریق گسیل میدانی (Field Emission) الکترون ها از یک کاتد سرد به کانال یا مستقیما به درین تأمین می شود. این مکانیزم متفاوت از هدایت مرسوم در نیمه هادی ها است و بیشتر در ادوات خلأ نانومقیاس (Nanoscale Vacuum Transistors) مطرح می شود.
در Emission FET، یک نوک تیز (Emitter) به عنوان کاتد عمل می کند و با اعمال ولتاژ بالا (چند ده ولت) به گیت، الکترون ها از نوک به سمت آند (درین) گسیل می شوند. فاصله بین الکترودها بسیار کوچک (نانومتری) است تا با ولتاژ پایین تر، گسیل میدانی رخ دهد. این ترانزیستورها گاهی "ترانزیستور خلأ" (Vacuum Transistor) نیز نامیده می شوند.
\[ J_{FN} = \frac{q^3 E^2}{8\pi h \phi} \exp\left( -\frac{8\pi \sqrt{2m \phi^3}}{3h q E} \right) \quad \text{(گسیل فاولر-نوردهایم)} \]مزایای Emission FET: سرعت بسیار بالا (زیر پیکوثانیه)، مقاومت در برابر تشعشع، و عدم وابستگی به نیمه هادی (امکان کار در دماهای بسیار بالا). معایب: نیاز به ولتاژ بالا، جریان پایین، و چالش های ساخت (ایجاد نوک های بسیار تیز با فاصله نانومتری).
این ترانزیستورها عمدتا در مراکز تحقیقاتی ساخته شده اند و هنوز تجاری نشده اند. پتانسیل کاربرد در الکترونیک با تحمل تشعشع بالا (مثل هوافضا) و فرکانس های تراهرتز را دارند.
