ترانزیستور اثر میدانی همپایه معکوس سریع (Fast Reverse Epitaxial Diode FET - FREDFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی همپایه معکوس سریع (Fast Reverse Epitaxial Diode FET - FREDFET) :
FREDFET (Fast Reverse Epitaxial Diode FET) نوعی ترانزیستور قدرت (اغلب MOSFET) است که دارای یک دیود بدنه (Body Diode) با بازیابی سریع (Fast Recovery) می باشد. در MOSFETهای قدرت معمولی، دیود بدنه ذاتی (بین سورس و درین) یک دیود PN است که زمان بازیابی معکوس نسبتا طولانی دارد. این مسئله در مدارهای سوئیچینگ با فرکانس بالا باعث تلفات و نویز می شود.
در FREDFET، با بهینه سازی ساختار (معمولا با افزودن لایه های اپیتاکسیال و کنترل دقیق ناخالصی)، دیود بدنه طوری طراحی می شود که زمان بازیابی معکوس (
\[ t_{rr} \]) بسیار کوتاهی داشته باشد (چند ده نانوثانیه). این امر FREDFET را برای کاربردهایی مانند اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ و درایو موتور که در آنها دیود بدنه به صورت معکوس هدایت می کند، ایده آل می سازد.
\[ t_{rr} \approx 30\text{–}100\,\text{ns} \quad , \quad Q_{rr} \downarrow \]FREDFETها اغلب به عنوان "MOSFET با دیود سریع" نیز شناخته می شوند. در دیتاشیت ها معمولا به مشخصه دیود بدنه (مثل
\[ t_{rr} \]یا
\[ Q_{rr} \]) اشاره می شود. نمونه های تجاری: سری FREDFET از IXYS، Infineon، و STMicroelectronics.
مزایا: کاهش تلفات سوئیچینگ، افزایش بازده، کاهش EMI. معایب: ممکن است ولتاژ شکست یا مقاومت
\[ R_{DS(on)} \]کمی بالاتر از MOSFET معمولی باشد (به دلیل بهینه سازی دیود).
